第55期江苏省青年科学家科技沙龙暨南航青年教授讲坛(总第142期)

作者:时间:2018-06-01浏览:229供图:审阅:来源:南京航空航天大学

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  目: GaN高频电力电子变换器         

报告人: 张之梁 教授

  间: 201866日(周三)15:00

  点: 梦都大街50号江苏省科技工作者活动中心三楼

办单位:  江苏省高校科协、南京航空航天大学科协、南航青年教授学术交流联谊会 

报告人简介:

张之梁,南京航空航天大学自动化学院教授目前研究方向为高频电力电子与应用基础研究。在IEEE电力电子期刊 (Trans. on Power Electron., 影响因子6.0) 发表SCI论文38篇 (第一作者25篇);发表IEEE APEC, ECCE等国际会议论文62篇;论文累计他引1000余次;以第一作者身份撰写英文专著 High Frequency MOSFET Gate Drivers: Technologies and Applications (IET出版);在第一届亚洲宽禁带器件2018国际会议做大会报告;获授权美国专利1项、中国发明专利10项。获国家优秀青年科学基金、江苏省杰出青年基金、教育部霍英东青年基金;入选“江苏省333工程”、“江苏省六大人才高峰”;主持国家级项目3项、省部级项目8项,主持军工与企业研发类项目20余项。荣江苏省科学技术奖二等奖 (排名第一)、第十八届中国国际高新技术成果交易会“优秀产品”奖。

报告摘要:

从上个世纪70年代中期发展至今,传统硅基半导体技术已达到其理论极限值。随着宽禁带(Wide Band Gap, WBG) 器件的迅速发展,业界推出新一代GaN器GaN材料在很多特性上远远超过硅,GaN功率器件优点包括:性能系数 (FOM) 远远小于硅器件,驱动损耗和开关损耗仅为硅器件的约十分之一; GaN材料临界电场更其更适合应用在高频电路中等。报告将介绍GaN功率器件发展现状、器件使用特点与挑战、结合应用的GaN高频电力电子电路与控制,展示GaN器件给电力电子应用带来的优势与前景。

注:沙龙结束后安排晚餐。本次活动采用网上预约限额模式,参加对象为全校师生。有意向参会的师生请于6月4日17点前扫描下方二维码报名。报名参会的师生可于6月6日下午2:10在明故宫校区车队乘车前往。

                                                               

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