题 目： GaN高频电力电子变换器
报告人： 张之梁 教授
时 间： 2018年6月6日（周三）15:00
地 点： 梦都大街50号江苏省科技工作者活动中心三楼
主办单位: 江苏省高校科协、南京航空航天大学科协、南航青年教授学术交流联谊会
报告人简介：
张之梁，南京航空航天大学自动化学院教授。目前研究方向为高频电力电子与应用基础研究。在IEEE电力电子期刊 (Trans. on Power Electron., 影响因子6.0) 发表SCI论文38篇 (第一作者25篇)；发表IEEE APEC, ECCE等国际会议论文62篇；论文累计他引1000余次；以第一作者身份撰写英文专著 High Frequency MOSFET Gate Drivers: Technologies and Applications (IET出版)；在第一届亚洲宽禁带器件2018国际会议做大会报告；获授权美国专利1项、中国发明专利10项。获国家优秀青年科学基金、江苏省杰出青年基金、教育部霍英东青年基金；入选“江苏省333工程”、“江苏省六大人才高峰”；主持国家级项目3项、省部级项目8项，主持军工与企业研发类项目20余项。荣获江苏省科学技术奖二等奖 （排名第一）、第十八届中国国际高新技术成果交易会“优秀产品”奖。
报告摘要：
从上个世纪70年代中期发展至今，传统硅基半导体技术已达到其理论极限值。随着宽禁带(Wide Band Gap, WBG) 器件的迅速发展，业界推出新一代GaN器。GaN材料在很多特性上远远超过硅，GaN功率器件优点包括：性能系数 (FOM) 远远小于硅器件，驱动损耗和开关损耗仅为硅器件的约十分之一； GaN材料临界电场更其更适合应用在高频电路中等。报告将介绍GaN功率器件发展现状、器件使用特点与挑战、结合应用的GaN高频电力电子电路与控制，展示GaN器件给电力电子应用带来的优势与前景。
注：沙龙结束后安排晚餐。本次活动采用网上预约限额模式，参加对象为全校师生。有意向参会的师生请于6月4日17点前扫描下方二维码报名。报名参会的师生可于6月6日下午2：10在明故宫校区车队乘车前往。
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