掺杂/缺陷对金属氧化物半导体电子结构的影响及应用研究

作者:时间:2018-06-07浏览:213供图:审阅:来源:南京航空航天大学

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题目:掺杂/缺陷对金属氧化物半导体电子结构的影响及应用研究

报告人:张洪良教授(青年千人、厦门大学化学化工学院)

时间:2018613日(星期三)9:30AM

地点:明故宫校区A09-506

主办单位:机械结构力学及控制国家重点实验室、科协、航空宇航学院

报告摘要:

金属氧化物半导体表现出丰富奇特的电学、光学、磁学等性能,在新型电子器件、光电催化等方面有着广阔的应用前景,一直是材料科学领域的研究热点。我们的研究工作主要采用分子束外延(MBE)和激光脉冲沉积(PLD)等方法制备氧化物半导体薄膜及异质结进而利用基于同步辐射的光电子能谱、吸收谱和第一性原理计算(合作)等深入理解所制备薄膜的表界面电子结构确定其结构与物性之间的关联,并探索这些薄膜测量在光电子器件和光电催化方面的应用。在此次报告中,我将会利用Sn掺杂透明氧化物半导体In2O3, Sr掺杂的钙钛矿结构LaCrO3Li掺杂的NiO作为例子来展示掺杂如何巨大地改变材料本身的电子结构并探讨这写功能材料在透明电子器件和光电催化等方面的潜在应用。

参考文献:

[1] Thin Film Metal-Oxides: Fundamentals and Applications in Electronics and EnergyRamanathan, Shriram (Ed.), Springer; 2010 edition

[2] K.H.L. Zhang, Y Du, L.F.J. Piper, P.V. Sushko, S.A. Chambers, et al., Adv. Mater., 27,5191 (2015).

[3] K.H.L. Zhang, M. G. Blamire, et al., Journal of Physics: Condensed Matter, 28, 383002 (2016).

[4] K.H.L. Zhang, Y Du, P.V. Sushko, S.A. Chambers, et al., Physical Review B 91, 155129 (2015).

[5] K.H.L. Zhang, PV Sushko, R Colby, Y Du, ME Bowden, SA Chambers, Nat. Comm. 5, 4669 (2014).

[6] J. Zhang, W. Li, et al. Journal of Materials Chemistry C, 6, 2275 (2018)

[7] J. Zhang, W. Luo, et al. Appl. Phys. Lett., 112, 171605 (2018)

[8] Zhang, Egdell*, King, et. al., Phys. Rev. Lett. 110, 056803 (2013)

报告人简介:

张洪良,厦门大学化学化工学院闽江学者特聘教授; 2003年获得山东大学光信息科学与技术专业本科学位,2008年获得新加坡国立大学凝聚态物理硕士学位,2012年获英国牛津大学无机化学博士学位。2012-2017年先后任职美国西北太平洋国家实验室博士后和英国剑桥大学材料系Herchel Smith Fellow。主要从事功能氧化物半导体薄膜生长,并利用同步辐射光电子能谱技术研究其电学光学和催化等性质。在透明导电氧化物钙钛矿结构氧化物光水分解材料等基础性质研究等方面取得了一系列重要成果,迄今在Nat. Commun.,Phys. Rev. Lett., J. Am. Chem. Soc.,Adv. Mater.等重要学术期刊发表论文90余篇。曾获得英国牛津大学Clarendon 全奖奖学金,台湾集成电路最佳国际研究生科研奖。2015年剑桥大学Herchel Smith Research Fellowship; 2016年入选中组部“青年千人”计划。电子邮件:kelvinzhang@xmu.edu.cn